功率半導體 | Tektronix

Wind turbines for high-power producing components and devices

電源效率和可靠度

加速打造綠色、清潔可再生、有效率、高功率的生產組件和裝置。

我們身處於一個瞬息萬變的世界，對有限能源資源的管理益發重要。碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬能隙半導體科技的進步，也帶動了清潔、可再生和可靠的能源生態系統的發展，同時為工程師帶來新的挑戰。工程師依靠 Tektronix 提供量測解決方案，以應對現今和未來的電氣化生態系統挑戰。

探索適用於研發和驗證的 SiC 與 GaN 功率半導體解決方案

Wide bandgap semiconductor materials research

寬能隙半導體材料研究

WBG 材料是提高 SiC 和 GaN 性能以實現更快切換速度、更高功率密度、高溫操作、可靠性、尺寸和成本的持續挑戰核心。

4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

描繪寬能隙裝置的特性

需要精確的電壓和電流量測來瞭解 SiC 或 GaN 裝置的基本特性和電氣性能。

iv characterization

I-V 特性分析

I-V 特性分析是量測電子裝置電流與電壓關係的過程。這對於裝置測試和最佳化以及開發寬能隙半導體而言至關重要。

AFG31000 for double pulse testing

雙脈波測試

雙脈衝測試是量測 MOSFET 或 IGBT 功率裝置切換參數的標準方法。從歷史上看，設定雙脈衝測試是一個耗時的過程，因為函數產生器沒有內建的方法來配置和設定測試。

wide bandgap devices

驗證寬能隙裝置

設計新的 SiC 和 GaN 裝置需要在設計和生產階段進行大量測試，以推動流程改善、增加產能和降低成本。與傳統矽相比，測試 WBG 功率裝置需要更好的解析度、更高的功率和更快的速度。

Validating Power Management ICs

驗證電源管理 IC

電源管理裝置是「無名英雄」，在幕後支援電子系統得以安全且正確運作的基本元件。

功率半導體資源

Tektronix touchscreen oscilloscope.

技術文章

您是否跟上寬能隙測試要求的腳步？

Double Pulse Testing Power Semiconductor Devices with a 5 or 6 Series MSO with Built-in Arbitrary Function Generator

應用摘要

使用內建任意函數產生器的 5 或 6 系列 MSO，進行功率半導體裝置的雙脈波測試

Double Pulse Testing Power Semiconductor Devices with a 5 or 6 Series MSO with Built-in Arbitrary Function Generator

部落格

針對現今的高壓半導體裝置進行崩潰電壓和漏電流量測

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