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功率半導體裝置,包括寬能隙 (SiC、GaN) 半導體的參數特性

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安全、精確、快速進行 MOSFET 測試

適用於 Si、SiC 和 GaN 裝置

讓您的功率半導體裝置更快上市

現在,在汽車和射頻通訊等要求嚴苛的應用中,寬能隙半導體 (如 SiC 和 GaN) 正在與傳統的矽材料結合使用,由於其可以在較高頻率、電壓和溫度的環境下作業,同時損失較少的功率。然而,隨著傳統矽半導體設計的效率改善,因此在許多廣泛的市場應用中仍能維持有力的價值定位。讓您的功率半導體裝置更快上市,同時將現場裝置故障的機率降到最低。

寬功率封裝元件

手動特性化晶片和封裝零件位準裝置的電子效能,需要學習新的技術、設備,以及探棒基礎設施,以利進行低位準量測 (例如,在高崩潰電壓的情況下量測漏電流的 pA)。來源電流可承受高達 100A、電壓高達 3000V,並使用 Keithley 功率裝置測試解決方案,以最佳化導通狀態、靜止狀態和電容量測之間往往複雜且耗時的設定變化。

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典型的導通狀態量測設定。

安全地設定您的測試

8010 高功率裝置測試治具可提供安全且輕鬆的連線,以測試高達 3kV 或 100A 的高功率裝置。

您還需要安全地設定高電壓測試並快速取得結果。手動設計需要具有程式設計的專業技術,以及設計和建立符合安全性需求系統的能力。您不需要親力親為。使用 8010 型高功率裝置測試治具,便可安全且輕鬆連接,以測試高達 3000V 或 100A 的封裝零件。快速且輕鬆地執行一般 I-V 測試,而不需要使用 ACS-BASIC 進行程式設計。

以兩倍的速度將裝置特性化,從而加快上市時間

針對如傳統 Si 和 GaN 這類需要較小功率封裝的裝置,藉由可自動化所有特性化測試 (高達 200V 和 1A) 的 4200A 參數分析儀可快速取得結果,以滿足上市時間的需求。

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4200A-SCS 參數分析儀。

避免過度設計造成您的寬能隙裝置成本上揚

由於高頻率 (快速開啟和關閉) 的關係,我們很難或根本無法進行浮接差動量測 (例如高端 Vgs),而且因為示波器探棒在高頻寬時沒有足夠的共模互斥比,所以會出現高共模電壓 (例如 Vds)。共模互斥比不佳會讓共模誤差主導量測的進行,而非由實際的差動訊號來主導。只有 Tektronix 的解決方案能提供隔離的探棒 (ISOVu),而不會在 GaN 和 SiC 裝置的作業需求下讓頻率衰減,因此可讓您進行精確的差動量測。這可讓您精確計算和驗證傳導損失、非導通時間損失和切換損失。此外,進行浮接差動量測如果您沒有整合使用閘門驅動器,則影響您精確量測和控制裝置開啟和關閉的非導通時間的要求。您現在也可以避免因為硬切換所產生的暫態電壓 (dv/dt) 和電流,而過度估算電源轉換器所產生的高頻放射。

需要注意的另一點,則是探棒電容在較高切換頻率下的影響。探棒電容過高會使得量測結果捨入上升值,導致重要的高頻率切換特性遺失。另外,將探棒增加到非常敏感的浮動閘極訊號中,可能會因暫態訊號造成電容充電而導致裝置損壞。ISOVu 探棒的低電容還可以讓閘極的探棒電容問題,以及因暫態信號而損壞裝置的風險降到最低。

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透過使用 IsoVu 探棒,可以精確地擷取高端閘極電壓波形,以在 dV/dt 不會降低的情況下,評估和最佳化切換效能與可靠度。

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